Лазер ЛПИ-120 полупроводниковый, инжекционный

Лазер ЛПИ-120 полупроводниковый, инжекционный - многомодовый импульсного режима работы, предназначен для использования в качестве источника оптического излучения для лазерной медицинской техники и других промышленных приборов. 

Назначение: многомодовый импульсного режима работы предназначен для использования в качестве источника оптического излучения.

Лазер ЛПИ-120 производится с использованием арсенид-галлиевого излучающего лазерного диода. Конструкция включает в себя встроенные гибридные микросборки генератора токов накачки.

Технические характеристики:

• Напряжение питания: от 23,5 В до 24,5 В
• Импульсный запуск ЛПИ-20 происходит при напряжении: от 16 В до 24 В
• Частота повторения импульсов запуска: от 1 Гц до 6 кГц
• Длительность импульса запуска: от 0,5∙10^-4 с до 10^-6 с
• Длительность фронта импульса запуска: не более 7,5∙10^-6 с
• Ширина обгибающей спектра лазерного излучения: до 1х10^-8 м
• Нестабильность амплитуды импульса лазерного излучения относительного среднего значения: до 10%
• Сопротивление шунтируещого резистора: от 65 Ом
• Количество импульсов лазерного излучения (на отказ): 1,6∙10⁹
• Время, при частоте повторения импульсов лазерного излучения (на отказ): 3 кГц - 150 ч
• Интенсивность отказов, отнесенная к нормальным климатическим условиям, в течении наработки 20 ч: до 10 ч^-1
• Срок хранения: от 15 лет
• Наработка на отказ: не менее 150 ч
• Рабочая температура: от -60° С до +60° С
• Диаметр излучателя: 17 мм
• Длина излучателя: 16,3 мм
• Длина выводов: 10 мм
• Масса: до 20 г